FDD7N60NZTM onsemi | Productos semiconductores discretos

FDD7N60NZTM
N.º de producto de DigiKey	FDD7N60NZTMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD7N60NZTMCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD7N60NZTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD7N60NZTM
Descripción	MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 5.5A (Tc) 90W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD7N60NZTM Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	UniFET-II™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.25Ohm a 2.75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	730 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD7N60