Name: FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86102LZFSTR-ND
Price: 1.6 USD
Availability: OutOfStock

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FDD86102LZ
N.º de producto de DigiKey	FDD86102LZFSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD86102LZFSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD86102LZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD86102LZ Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22.5mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1540 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD86102

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.63201	$1,580.02
5,000	$0.59728	$2,986.40

FDD86102LZ