Name: FDD86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86113LZFSTR-ND
Price: 1.47 USD
Availability: InStock

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FDD86113LZ
N.º de producto de DigiKey	FDD86113LZFSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD86113LZFSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD86113LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD86113LZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 4.2 A (Ta), 5.5 A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD86113LZ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.2 A (Ta), 5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	104mOhm a 4.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	285 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD86113