Name: FDMA86108LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMA86108LZTR-ND
Price: 1.76 USD
Availability: OutOfStock

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FDMA86108LZ
N.º de producto de DigiKey	FDMA86108LZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMA86108LZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMA86108LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMA86108LZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 2.2 A (Ta) 2.4W (Ta) 6-MicroFET (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	243mOhm a 2.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	163 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Número de producto base	FDMA86108