FDMC86265P onsemi | Productos semiconductores discretos

FDMC86265P es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $1.55000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDMC86265P
N.º de producto de DigiKey	FDMC86265PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMC86265PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMC86265PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMC86265P
Descripción	MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 150 V 1 A (Ta), 1.8 A (Tc) 2.3W (Ta), 16W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1 A (Ta), 1.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	210 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.3W (Ta), 16W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	FDMC86265