Name: FDMS039N08B
Brand: onsemi
SKU: FDMS039N08BTR-ND
Price: 2.28 USD
Availability: OutOfStock

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FDMS039N08B
N.º de producto de DigiKey	FDMS039N08BTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS039N08BCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS039N08BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS039N08B
Descripción	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	30 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19.4A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7600 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS039