Name: FDMS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS4435BZTR-ND
Price: 1.03 USD
Availability: OutOfStock

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FDMS4435BZ
N.º de producto de DigiKey	FDMS4435BZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS4435BZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS4435BZ
Descripción	MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta), 18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2050 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS4435