Name: FDMS86101
Brand: onsemi
SKU: FDMS86101TR-ND
Price: 1.0192 USD
Availability: OutOfStock

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FDMS86101
Número de pieza de DigiKey	FDMS86101TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS86101CT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS86101DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS86101
Descripción	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	34 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDMS86101 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12.4A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS86

FDMS86101