Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 3.66 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDMS86163P
N.º de producto de DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS86163PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS86163P
Descripción	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDMS86163P Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.9A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 7.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4085 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS86163