Name: FDMS86350ET80
Brand: onsemi
SKU: FDMS86350ET80TR-ND
Price: 7.48 USD
Availability: OutOfStock

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FDMS86350ET80
N.º de producto de DigiKey	FDMS86350ET80TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS86350ET80CT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS86350ET80DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS86350ET80
Descripción	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 25 A (Ta), 198 A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDMS86350ET80 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25 A (Ta), 198 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.4mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8030 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.3W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS86350

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