Name: FDN308P
Brand: onsemi
SKU: FDN308PFSTR-ND
Price: 0.7 USD
Availability: OutOfStock

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FDN308P
N.º de producto de DigiKey	FDN308PFSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDN308PFSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDN308PFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDN308P
Descripción	MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 1.5 A (Ta) 500mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	125mOhm a 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	341 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	FDN308

FDN308P