FDP025N06 onsemi | Productos de semiconductores discretos

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FDP025N06
Número de pieza de DigiKey	FDP025N06-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDP025N06
Descripción	MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 120A (Tc) 395W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.5mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	226 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	14885 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	395W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	FDP025