FDS4435BZ-F085 onsemi | Productos semiconductores discretos

FDS4435BZ-F085
N.º de producto de DigiKey	FDS4435BZ-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDS4435BZ-F085CT-ND - Cinta cortada (CT) FDS4435BZ-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS4435BZ-F085
Descripción	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 8.8 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDS4435BZ-F085 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 8.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1845 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	FDS4435