Name: FDS4685
Brand: onsemi
SKU: FDS4685TR-ND
Price: 0.91 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

I agree to receive marketing emails from DigiKey (optional). I understand that I can withdraw consent at any time. Please review our Privacy Notice.

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

FDS4685
Número de pieza de DigiKey	FDS4685TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDS4685CT-ND - Cinta cortada (CT) FDS4685DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS4685
Descripción	MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 8.2A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27mOhm a 8.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1872 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	FDS46

FDS4685