Name: FDS86267P
Brand: onsemi
SKU: FDS86267PTR-ND
Price: 1.84 USD
Availability: OutOfStock

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FDS86267P
N.º de producto de DigiKey	FDS86267PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDS86267PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS86267P
Descripción	MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 150 V 2.2 A (Ta) 1W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDS86267P Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	255mOhm a 2.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1130 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	FDS86267