FDY1002PZ onsemi | Productos semiconductores discretos

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FDY1002PZ
N.º de producto de DigiKey	FDY1002PZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDY1002PZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDY1002PZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDY1002PZ
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 830mA 446mW Montaje en superficie SOT-563F
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	830mA
Rds On (máx) @ Id, Vgs	500mOhm a 830mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.1nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	135pF a 10V
Potencia - Máx.	446mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-563F
Número de producto base	FDY1002