FDY100PZ onsemi | Productos de semiconductores discretos

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FDY100PZ
Número de pieza de DigiKey	FDY100PZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDY100PZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDY100PZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDY100PZ
Descripción	MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 350mA (Ta) 625mW (Ta) SC-89-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDY100PZ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	350mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 350mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	100 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	625mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-89, SOT-490
Número de producto base	FDY100