Name: FQB12P20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB12P20TMTR-ND
Price: 2.77 USD
Availability: OutOfStock

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Canal P Montaje en superficie 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) TO-263 (D2PAK)

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FQB12P20TM
Número de pieza de DigiKey	FQB12P20TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB12P20TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB12P20TM
Descripción	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	11 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQB12P20TM Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	470mOhm a 5.75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1200 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.13W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FQB12P20

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