FQB19N20CTM onsemi | Productos semiconductores discretos

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FQB19N20CTM
N.º de producto de DigiKey	FQB19N20CTMTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB19N20CTM
Descripción	MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 19A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	170mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1080 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.13W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FQB19N20