FQB1P50TM onsemi | Productos de semiconductores discretos

FQB1P50TM es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $3.81000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FQB1P50TM
Número de pieza de DigiKey	FQB1P50TMTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB1P50TM
Descripción	MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10.5Ohm a 750mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.13W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FQB1P50