Name: FQB27P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQB27P06TMTR-ND
Price: 2.67 USD
Availability: OutOfStock

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FQB27P06TM
N.º de producto de DigiKey	FQB27P06TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB27P06TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB27P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB27P06TM
Descripción	MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	70mOhm a 13.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1400 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.75W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FQB27