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FQB50N06TM es obsoleto y ya no se fabrica.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
FQB50N06TM | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | FQB50N06TMFSTR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FQB50N06TM |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 22mOhm a 25A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±25V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1540 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2PAK) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
México