Name: FQD13N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N10LTMTR-ND
Price: 0.91 USD
Availability: OutOfStock

FQD13N10LTM está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $1.73000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FQD13N10LTM
N.º de producto de DigiKey	FQD13N10LTMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD13N10LTMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD13N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD13N10LTM
Descripción	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Plazo estándar del fabricante	6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	520 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FQD13N10