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TO-252AA
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TO-252AA
TO-252AA

FQD2N100TM

N.º de producto de DigiKey
FQD2N100TMTR-ND - Cinta y rollo (TR)
FQD2N100TMCT-ND - Cinta cortada (CT)
FQD2N100TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
FQD2N100TM
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) TO-252AA
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 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
QFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
9Ohm a 800mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
520 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
FQD2N100
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