FQD5N20LTM onsemi | Productos semiconductores discretos

FQD5N20LTM
N.º de producto de DigiKey	FQD5N20LTMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD5N20LTMCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD5N20LTM
Descripción	MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 3.8 A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	325 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FQD5N20