Name: FQD7N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD7N20LTMTR-ND
Price: 0.98 USD
Availability: OutOfStock

FQD7N20LTM está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.63000

Similar

Vishay Siliconix

En stock: 0

Precio por unidad : $0.70000

Similar

STMicroelectronics

En stock: 2,500

Precio por unidad : $1.17000

Similar

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : $0.77000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FQD7N20LTM
N.º de producto de DigiKey	FQD7N20LTMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD7N20LTMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD7N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD7N20LTM
Descripción	MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Plazo estándar del fabricante	11 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 5.5 A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	750mOhm a 2.75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FQD7N20