FQPF9N25CT onsemi | Productos semiconductores discretos

FQPF9N25CT es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FQPF9N25CT
N.º de producto de DigiKey	FQPF9N25CT-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQPF9N25CT
Descripción	MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) TO-220F-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQPF9N25CT Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	430mOhm a 4.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	710 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	FQPF9