FQU13N06LTU-WS onsemi | Productos semiconductores discretos

FQU13N06LTU-WS es obsoleto y ya no se fabrica.

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FQU13N06LTU-WS
N.º de producto de DigiKey	FQU13N06LTU-WS-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQU13N06LTU-WS
Descripción	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) IPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	115mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	IPAK
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Número de producto base	FQU13N06