HGTD1N120BNS9A onsemi | Productos semiconductores discretos

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HGTD1N120BNS9A
N.º de producto de DigiKey	HGTD1N120BNS9ATR-ND - Cinta y rollo (TR) HGTD1N120BNS9ACT-ND - Cinta cortada (CT) HGTD1N120BNS9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	HGTD1N120BNS9A
Descripción	IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Montaje en superficie TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HGTD1N120BNS9A Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores IGBT IGBT simple
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo IGBT	NPT
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	5.3 A
Corriente - colector impulsado (Icm)	6 A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic	2.9V a 15V, 1A
Potencia - Máx.	60 W
Energía de conmutación	70µJ (Encendido), 90µJ (Apagado)
Tipo de entrada	Estándar
Carga de compuerta	14 nC
Td (encendido/apagado) a 25ºC	15ns/67ns
Condiciones de prueba	960V, 1A, 82Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Número de producto base	HGTD1N120