Name: HUF75639P3
Brand: onsemi
SKU: HUF75639P3-ND
Price: 3.07 USD
Availability: OutOfStock

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HUF75639P3
N.º de producto de DigiKey	HUF75639P3-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	HUF75639P3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HUF75639P3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	UltraFET™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 56A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	130 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	HUF75639

HUF75639P3