HUF75639S3 onsemi | Productos semiconductores discretos

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HUF75639S3
N.º de producto de DigiKey	HUF75639S3-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	HUF75639S3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) TO-262 (I2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	UltraFET™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 56A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	130 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base	HUF75639