MTB50P03HDLT4G onsemi | Productos semiconductores discretos

MTB50P03HDLT4G es obsoleto y ya no se fabrica.

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MTB50P03HDLT4G
N.º de producto de DigiKey	MTB50P03HDLT4GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) MTB50P03HDLT4GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) MTB50P03HDLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	MTB50P03HDLT4G
Descripción	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	100 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4900 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	MTB50