Name: NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBL045N065SC1TR-ND
Price: 12.71 USD
Availability: OutOfStock

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NTBL045N065SC1
N.º de producto de DigiKey	5556-NTBL045N065SC1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 5556-NTBL045N065SC1CT-ND - Cinta cortada (CT) 5556-NTBL045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTBL045N065SC1
Descripción	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 73A (Tc) 348W (Tc) 8-HPSOF
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	73A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 25A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	105 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22.6V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1870 pF @ 325 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	348W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HPSOF
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	NTBL045