NTGS3130NT1G onsemi | Productos semiconductores discretos

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NTGS3130NT1G
N.º de producto de DigiKey	NTGS3130NT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTGS3130NT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTGS3130NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTGS3130NT1G
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 4.23 A (Ta) 600mW (Ta) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTGS3130NT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.23 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	24mOhm a 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	935 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	NTGS3130