NTH027N65S3F_F155 onsemi | Productos semiconductores discretos

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NTH027N65S3F-F155

onsemi

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NTH027N65S3F_F155
N.º de producto de DigiKey	NTH027N65S3F_F155-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTH027N65S3F_F155
Descripción	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 75 A (Tc) 595W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTH027N65S3F_F155 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	FRFET®, SuperFET® II
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27.4mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 7.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	259 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7690 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	NTH027

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