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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
NTHL022N120M3S | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NTHL022N120M3S-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NTHL022N120M3S |
Descripción | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI |
Plazo estándar del fabricante | 10 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 30mOhm a 40A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.4V a 20mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 139 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3130 pF @ 800 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 352W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Disponible para órdenes
Stock de fábrica: 11,250
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $17.76000 | $17.76 |
| 10 | $13.19100 | $131.91 |
| 450 | $10.88938 | $4,900.22 |
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