Name: NTHS4101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHS4101PT1GOSTR-ND
Price: 0.47 USD
Availability: OutOfStock

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NTHS4101PT1G
N.º de producto de DigiKey	NTHS4101PT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTHS4101PT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTHS4101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTHS4101PT1G
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 4.8 A (Tj) 1.3W (Ta) ChipFET™
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.8 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	34mOhm a 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2100 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	ChipFET™
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Número de producto base	NTHS4101