Name: NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND
Price: 2.74 USD
Availability: OutOfStock

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NTMFS4D2N10MDT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFS4D2N10MDT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS4D2N10MDT1G
Descripción	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 16.4A (Ta), 113A (Tc) 2.8W (Ta), 132W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16.4A (Ta), 113A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.3mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 239µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3100 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores