NTMFSCH1D4N08XTWG onsemi | Productos semiconductores discretos

Nuevo producto

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NTMFSCH1D4N08XTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFSCH1D4N08XTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFSCH1D4N08XTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFSCH1D4N08XTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFSCH1D4N08XTWG
Descripción	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 263H (Tc) 208W (Tc) 8-DFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	DUAL COOL®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	263H (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 348µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6303 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	NTMFSCH