Canal N Montaje en superficie 30 V 10A 860mW (Ta) 8-SOIC
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NTMS4704NR2

Número de pieza de DigiKey
488-NTMS4704NR2-ND
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
NTMS4704NR2
Descripción
POWER MOSFET 30 V, 12.3 A, SINGL
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 10A 860mW (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
10A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
9.5mOhm a 12.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1225 pF @ 20 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
860mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Preguntas y respuestas sobre el producto

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