NTMS7N03R2G onsemi | Productos de semiconductores discretos

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Canal N Montaje en superficie 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) 8-SOIC

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NTMS7N03R2G
Número de pieza de DigiKey	NTMS7N03R2GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMS7N03R2G
Descripción	MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMS7N03R2G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1190 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	NTMS7

Preguntas y respuestas sobre el producto

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