Name: NTMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND
Price: 4.19 USD
Availability: OutOfStock

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NTMTS0D7N06CLTXG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTS0D7N06CLTXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTS0D7N06CLTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTS0D7N06CLTXG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	99 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 62.2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMTS0D7N06CLTXG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	62.2A (Ta), 477A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.68mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	225 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	16200 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 294.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NTMTS0