Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 6.77 USD
Availability: OutOfStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTSC1D6N10MCTXG
Descripción	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) 8-TDFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMTSC1D6N10MCTXG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.7mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 650µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7630 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5.1W (Ta), 291W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TDFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NTMTSC1