Name: NTMTSC4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D3N15MCTR-ND
Price: 6.34 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NTMTSC4D3N15MC
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTSC4D3N15MCTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTSC4D3N15MCCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTSC4D3N15MCDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTSC4D3N15MC
Descripción	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 150 V 22A (Ta), 174A (Tc) 5W (Ta), 293W (Tc) 8-TDFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	Dual Cool™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Ta), 174A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.45mOhm a 95A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 521µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	79 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6514 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 293W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TDFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN