Name: NTMYS3D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMYS3D3N06CLTWGTR-ND
Price: 2.88 USD
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NTMYS3D3N06CLTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMYS3D3N06CLTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMYS3D3N06CLTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMYS3D3N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMYS3D3N06CLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 3.9W (Ta), 100W (Tc) LFPAK4 (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	26A (Ta), 133A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2880 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.9W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base	NTMYS3