NTR3A30PZT1G onsemi | Productos semiconductores discretos

NTR3A30PZT1G
N.º de producto de DigiKey	NTR3A30PZT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTR3A30PZT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTR3A30PZT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTR3A30PZT1G
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3 A (Ta) 480mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTR3A30PZT1G Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	38mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1651 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	480mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	NTR3A30