NVATS4A104PZT4G onsemi | Productos semiconductores discretos

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NVATS4A104PZT4G
N.º de producto de DigiKey	NVATS4A104PZT4G-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVATS4A104PZT4G
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 82 A (Ta) 72W (Tc) ATPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVATS4A104PZT4G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	82 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.4mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3950 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	ATPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NVATS4