NVATS5A107PLZT4G onsemi | Productos de semiconductores discretos

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NVATS5A107PLZT4G
Número de pieza de DigiKey	NVATS5A107PLZT4G-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVATS5A107PLZT4G
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 55A (Ta) 60W (Tc) ATPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVATS5A107PLZT4G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	55A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2400 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	ATPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NVATS5