NVC6S5A354PLZT1G es obsoleto y ya no se fabrica.

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NVC6S5A354PLZT1G
N.º de producto de DigiKey	NVC6S5A354PLZT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVC6S5A354PLZT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVC6S5A354PLZT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVC6S5A354PLZT1G
Descripción	MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 4 A (Ta) 1.9W (Ta) 6-CPH
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVC6S5A354PLZT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	600 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-CPH
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	NVC6S5