Name: NVD3055-150T4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD3055-150T4G-VF01OSTR-ND
Price: 1.03 USD
Availability: OutOfStock

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NVD3055-150T4G-VF01
N.º de producto de DigiKey	NVD3055-150T4G-VF01OSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVD3055-150T4G-VF01OSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVD3055-150T4G-VF01OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVD3055-150T4G-VF01
Descripción	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVD3055-150T4G-VF01 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	150mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	280 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NVD3055

NVD3055-150T4G-VF01